半導(dǎo)體行業(yè)處于景氣周期，推動(dòng)設(shè)備迎風(fēng)而上

1.1 設(shè)備是奠定產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石

根據(jù) Wind 數(shù)據(jù)，2021 年全球集成電路的市場(chǎng)規(guī)模為 4608 億美元，占半導(dǎo)體規(guī)模的83%。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì)，2021 年中國(guó)集成電路設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三大環(huán)節(jié)市場(chǎng)規(guī)模分別為 4519/3176/2763 億元，分別占比 43%/30%/27%。 半導(dǎo)體設(shè)備主要應(yīng)用于集成電路的制造和封測(cè)環(huán)節(jié)，可細(xì)分為晶圓制造設(shè)備（前道設(shè)備）和封裝、測(cè)試設(shè)備（后道設(shè)備）。SEMI 預(yù)估 2021 年全球晶圓制造設(shè)備、封裝設(shè)備、測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)規(guī)模分別為 880.1/69.9/77.9 億美元，分別占比 86%/7%/7%，細(xì)分應(yīng)用來看，邏輯代工占據(jù)晶圓制造設(shè)備的主要份額，達(dá) 493 億美元，占比 56%。

晶圓制造過程大致可分為 7 大板塊：氧化擴(kuò)散（Thermal Process）、薄膜沉積（DielectricDeposition）、光刻（Photo-lithography）、刻蝕（Etch）、離子注入（Ion Implant）、拋光（CMP）、以及金屬化（Metalization）。薄膜沉積、光刻和刻蝕是前道晶圓制造的三大核心工藝，制造過程反復(fù)循環(huán)多遍，涉及上千道加工工序。

光刻、刻蝕、薄膜沉積與封測(cè)設(shè)備作為核心設(shè)備，在設(shè)備資本開支中占比較高。根據(jù)集成電路制造領(lǐng)域典型資本開支結(jié)構(gòu)來看，設(shè)備投資占比約為 70%-80%，其中用于芯片制造和封裝測(cè)試環(huán)節(jié)的設(shè)備投資占主要部分。在芯片制造環(huán)節(jié)中，核心設(shè)備光刻、刻蝕（含去膠）、薄膜沉積及封測(cè)合計(jì)占比約 68%，核心設(shè)備國(guó)產(chǎn)化是我國(guó)實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體制程國(guó)產(chǎn)化替代的關(guān)鍵。

1.2 半導(dǎo)體行業(yè)延續(xù)高景氣帶動(dòng)設(shè)備穩(wěn)定增長(zhǎng)

根據(jù) SIA 數(shù)據(jù)，2021 年全球半導(dǎo)體銷售額為 5559 億美元，同比增長(zhǎng)26％，其中，亞太、美洲、歐洲、日本銷售額分別為 3434/1188/471/436 億美元。2021 年中國(guó)半導(dǎo)體銷售額為1925億美元，同比增長(zhǎng) 27%，占全球總銷售額 35%，為全球半導(dǎo)體增長(zhǎng)主要驅(qū)動(dòng)力。

終端缺芯嚴(yán)重，晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)，2021-2022 年為設(shè)備需求高峰期

2.1 晶圓廠滿產(chǎn)，接近零庫(kù)存、訂單交付周期不斷拉長(zhǎng)

晶圓廠滿產(chǎn)，接近零庫(kù)存。2018 年至 2019 年初，受晶圓廠持續(xù)擴(kuò)產(chǎn)影響，存儲(chǔ)器供過于求，帶動(dòng)存儲(chǔ)器價(jià)格下滑，加上智能手機(jī)、PC 以及服務(wù)器等終端產(chǎn)品需求下降，使得全球半導(dǎo)體行業(yè)規(guī)模在此期間下滑。2019 年起，晶圓代工廠的產(chǎn)能利用率持續(xù)攀升，我們從中芯國(guó)際的產(chǎn)能利用率來看，2019年至2021年，產(chǎn)能利用率由97%持續(xù)提升達(dá)到滿產(chǎn)，2021Q2高達(dá)100.4%；從半導(dǎo)體消費(fèi)者庫(kù)存中位數(shù)來看，半導(dǎo)體產(chǎn)品的庫(kù)存中位數(shù)從2019 年的40 天左右下降到2021年的不到 5 天。

2.2 “缺芯”主要為終端產(chǎn)品載芯量高增長(zhǎng)所致

根據(jù)全球半導(dǎo)體設(shè)備季度銷售增速來看，行業(yè)每隔 3-4 年會(huì)呈現(xiàn)周期性變動(dòng)趨勢(shì)，當(dāng)下游終端產(chǎn)品技術(shù)迭代更新，市場(chǎng)出現(xiàn)需求激增帶動(dòng)資本向上游晶圓廠涌入，廠商加大資本開支，行業(yè)進(jìn)入景氣周期，當(dāng)市場(chǎng)供大于求時(shí)，行業(yè)增速放緩。

2.3 晶圓廠積極擴(kuò)充產(chǎn)能，驅(qū)動(dòng)設(shè)備需求提升

下游資本開支持續(xù)攀升，本地晶圓廠積極擴(kuò)產(chǎn)帶來設(shè)備端需求提升。2022 年以來，芯片市場(chǎng)依舊緊缺，半導(dǎo)體行業(yè)資本開支持續(xù)攀高以滿足擴(kuò)產(chǎn)需要。全球晶圓代工龍頭臺(tái)積電在2021全年資本開支 300 億美元，并在 2022 年指引中上修資本開支至400-440 億美元，同時(shí)臺(tái)積電表示 2022 年代工行業(yè)將增長(zhǎng) 20%。國(guó)內(nèi)晶圓代工龍頭中芯國(guó)際2021 年資本開支45 億美元，并在2022 年指引中表示資本開支將增至 50 億美元。IC Insights 預(yù)測(cè)，2021 年全球半導(dǎo)體行業(yè)資本開支規(guī)模約為 1539 億美元，預(yù)計(jì)今年將超過 1904 億美元，同比增長(zhǎng)24%。我們按半導(dǎo)體資本開支中設(shè)備投資占 70%~80%比例估算，2022 年全球半導(dǎo)體行業(yè)設(shè)備端投資規(guī)模約在1332.8~1523.2 億美元之間。

國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體設(shè)備多環(huán)節(jié)步入產(chǎn)業(yè)化替代階段

半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)高度集中，海外龍頭處于壟斷地位。半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)壁壘、客戶認(rèn)知度壁壘以及市場(chǎng)壁壘三高，研發(fā)周期長(zhǎng)難度大，故主要市場(chǎng)份額集中在少數(shù)頭部企業(yè)中，并且呈持續(xù)增長(zhǎng)趨勢(shì)。根據(jù)統(tǒng)計(jì)，2021 年行業(yè) CR5 約為 84%，較 2019 年的65%顯著提高。